随着全球能源转型的加快，光伏发电与储能系统已成为构建新型电力系统的关键。作为电力电子系统的 “主题心脏” 与 “智能开关”，功率IGBT�？榈幕苤苯泳龆苏鱿低车男堋⒖康米⌒约白酆铣杀�。
长晶科技基于FST G3.0工艺平台推出IGBT半桥�？�，优化器件在导通损耗和开关损耗阐发的综合机能，保障恶劣环境下的运行靠得住性，为光伏逆变器、PCS 蹬爪用场景提供高效能、强不变性的主题技术支持。
长晶科技推出的1200V IGBT半桥�？橄盗�，蕴含450A、600A与900A三种电流规格，搭载自主研发的FST 3.0 IGBT芯片，拥有高功率密度、低损耗及高靠得住性的特点，可全面覆盖光伏储能系统需要。
◆ 针对开关个性，通过优化栅电荷（Qg），实现了开关应力与损耗之间的平衡，提升分歧栅极驱动设计的兼容性，并减轻散热系统接受的压力。
同测试平台前提下，VCE(sat)根基达到国际主流友商第七代产品优良水平，高电流900A产品MCF900N120T3E3较竞品鼓和压降降低5%~6%，实现高温系统下优异的通态损耗机能。
长晶FST 3.0 IGBT在高温前提下实现了开关应力与关断损耗之间的平衡，这一个性确保了�？樵诠夥⒛芟低程囟üた鱿碌脑诵行苡氤志貌槐湫�。
长晶科技将致力于高效功率�？榈难蟹⒂氪葱�，持续推动电力电子系统朝着更幼尺寸、更高效能、更靠得住不变且更具成本竞争力的方向不休升级！
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